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EL TRANSISTOR image - Coggle Diagram

- - - - Borne positivo de la bateria conectada al emisor
    - - Emitor al negativo
- - - - Calentar interior
      - Hacer posible el flujo de electrones
- - - - Debería indicar alta resistencia
    - - Debe marcar baja resistencia (1 - 20 ohmios)
- - - - Por lo delgado de su capa central
      - Pequeña cantidad de material dopante
      - Capa de la base es de tipo N
        
        Se dopa poco
        
        Poca cantidad de electrones libres
      - Capa de la base es de tipo P
        
        Igualmente delgada
        
        En la pastilla quedan pocos huecos o portadores
    - - Pastilla correspondiente al emisor
        
        se hace gruesa
        
        Material semiconductor se dopa bastante
    - - Circuito formado por batería de bajo voltaje
      - Pastilla de la base
      - Pastilla del emisor
      - cualqueir resistor exterior colocado en serie
    - - Capacitado para conducir corrientes grandes
    - - Capacitado para conducir correinte pequeñas
    - - Se forma al combinarse los portadores del emisor en la union con sus contrarios
      - Ahí está su limitación
      - Corriente circulante por el circuito de entrada
  - - - Conexión inversa
      - Alta resistencia en la juntura
    - - A pesar de que el colector se hace grueso
      - Limitada por la delgada capa de la base
      - Limitado por la lata resistencia
    - - todo aquello que se conecte en serie con el colector
  - - - Electrones libres cruzan la base
      - Los electrones no encuentrasn huecos para llenar
      - Electrones quedan disponivles para llenar huecos del colector
      - Mayor cantidad de electrones libres que abandonen la pastilla del emisor y se difundadn por la base
        
        Mayor será el numero de éstos que aprovechen de lo delgado de la capa de la base
        
        Pasan al colector a engrosar o aumentar corriente inversa
    - - Afectada por la cantidad de portadores que abandonan el emisor
        
        Depende de cambios de voltaje de entrada
- - - - En circuito de entrada es baja (10 o 50 ohmios)
      - En circuito de salida es lata (200 a 10000 ohmios)
    - - Salida está en fase con la entrada
  - - - Entrada
      - Salida
    - - Entrada es aplicada a la base
        
        Ayuda u opone a la polarización base
        
        Cuando se refuerza la polarización aumenta
        
        La corriente de la base
        
        La corriente de colector
        
        El voltaje de caída a través del resistor de carga
        
        Cuando la señal de entreda disminuye
        
        Las corrientes y el volatje disminuyen
      - Salida aparece en los extremos del resistor externo de carga de colector
        
        Igual a la señal de entrada pero con mayor amplitud
        
        Por lo general 100 veces en adelante la onda de salida
  - - - Entrada
        
        Aplica en la base
      - Salida
        
        Tomada de los extremos del resistor de carga
        
        No da ganancia en el voltaje
        
        La corriente es mayor
    - - Salida (Baja)
        
        5 - 5000 ohmios
      - Entrada (Alta)
        
        5000 - 1000000 ohmios
- - - - Resulta de dividir la corriente del colector por la corriente del emisor
  - - - Resulta de dividir la corriente del colector entre la corriente de base
- - - - Efectode campo de unión
      - Transistor unipolar
      - Formado por barra de material semiconductor de silicio, tipo N o P
      - Terminales de la brra hay contacto óhmico
      - Efecto de campo tipo N de la forma más básica
    - - Efecto de campo de metal-oxido semiconductor
      - Formado por dos islas de silicio
        
        Una dopada (Positiva)
        
        Una dopada (Negativa
        
        Medio
        
        Electrodo de metal
    - - Heterojuction BIpolar Transistor
      - High Electron Mobility Transistor
      - 3 terminales formador por diferente componentes con distinto dalto de banda prohibida
    - - Bipolar Juction Transistor
      - Bipolar
      - Puede ser tipo
        
        NPN
        
        PNP
    - - Pequeña señal
      - Intensidad pequeña
        
        Menor que 0,5 W
    - - Intensidad grande
        
        Mayor a 0,5 W
    - - 3 tipos de FET
        
        FET de unión
        
        FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento
        
        FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento
      - Ventajas
        
        Generan menos ruido que los BJT
        
        Más estbales con la temperatura que BJT
        
        Sensibles a tensión con alta impedancia
        
        Más fáciles de fabricar ya que requieren menos pasos de enmascaramiento y difusiones
        
        Los de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes
      - Desventajas
        
        Exhiben una respuesta en frecuencia pobre
        debido a la alta capacitancia de entrada.
        
        Presentan una linealidad muy pobre
        
        Pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática