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Transistor - Coggle Diagram
Transistor
de unión bipolar
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Características
se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector
Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
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Desventajas
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Alto nivel de ruido, con menos estabilidad térmica,
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Aplicaciones
representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión.
de efecto de campo
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Sub clasificación
de unión, JFET, construido mediante una unión PN
de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
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Aplicaciones
Amplificador, conmutador analógico, multiplexado, troceadores.
Fototransistores
Definición
es, en esencia, lo mismo que un transistor normal
Fototransistores son tri-terminales (emisor, base y colector) o bi-terminales (emisor y colector) semiconductor dispositivos que tienen una región base sensible a la luz.
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Características
El comportamiento de los fototransistores es idéntico al de los normales transistores excepto por el hecho de que aquí el efecto producido por el voltaje base se experimentará debido a la luz incidente. Esto puede aclararse analizando los siguientes puntos
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Ventajas
Simple, compacto y menos costoso.
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Mayor corriente, mayor ganancia y tiempos de respuesta más rápidos en comparación con los fotodiodos.
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De contacto puntual
Definición
primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain
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Características
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre
Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día
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Desventajas
difícil de fabricar, frágil y ruidoso
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