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電子學 U6 - Coggle Diagram
電子學 U6
BJT跟MOSFET差異
BJT為電流控制，MOSFET為電場控制
MOSFET的Zi接近無限大
BJT屬雙載子元件，MOSFET屬單載子元件
MOSFET有較高的溫度穩定特性
MOSFET有較高的頻率響應極操作速度
E-MOSFET工作模式(N通道)
夾止飽和區
截止區
歐姆區
D-MOSFET工作模式(N通道)
夾止飽和區
截止區
歐姆區
E-MOSFET直流偏壓方式
分壓式
提高直流工作穩定度
汲極回授式
提高直流工作穩定度、一定在夾止飽和區
固定式
D-MOSFET直流偏壓方式
分壓式
自給回授式
固定式
MOSFET
E-MOSFET:增強型，沒有欲至通道
D-MOSFET:空乏型，有預置通道
傳導載子
N通道
電子
移動率高
速度快
P通道
電洞
N通道MOSFET
增強型
能感應通道
Vgs > 0
空乏型
Vgs<0
能限制通道
