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FABRICACIÓN DE CELDAS SOLARES, FABRICACIÓN DE TRANSISTORES POR DIFUSIÓN,…

- - - - Este proceso tecnológico, se efectúa a partir de una fuente de impurezas que garantice una concentración superficial constante en la superficie del semiconductor.
      - Este proceso tecnológico, se efectúa a partir de una fuente de impurezas que garantice una concentración superficial constante en la superficie del semiconductor.
      - Este proceso tecnológico, se efectúa a partir de una fuente de impurezas que garantice una concentración superficial constante en la superficie del semiconductor.
      - Este proceso tecnológico, se efectúa a partir de una fuente de impurezas que garantice una concentración superficial constante en la superficie del semiconductor.
      - El proceso de formación de la unión p-n en la fabricación de las celdas solares, se realiza mediante la introducción de las impurezas de Fósforo en el Silicio a través del proceso térmico denominado Predifusión.
      - Este proceso tecnológico, se efectúa a partir de una fuente de impurezas que garantice una concentración superficial constante en la superficie del semiconductor.
- - - - Procedimiento
        
        • Así se crea la región de tipo P que es la base del transistor.
        
        • Este sistema es entonces encerrado por una máscara con agujeros (aperturas) y se calienta una vez más con las impurezas gaseosas de tipo N.
        
        • Como resultado, el átomo de tipo N se difunde a través de los agujeros y se crea la capa N, que es la emisora del transistor, sobre la capa P
        
        • Se desarrolla una fina capa de dióxido de silicio en toda la superficie y se estampan fotos para crear contactos de aluminio para los cables de la base y el emisor.
        
        • Como resultado, las impurezas (tipo P) se difunden gradualmente en la superficie de la oblea (tipo N).
        
        • En un horno que incluye impurezas de forma gaseosa de tipo P, la oblea de tipo N se calienta a alta temperatura.