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金氧半場效電晶體 - Coggle Diagram
金氧半場效電晶體
基本架構
上拉電路中元件皆為PMOS,下拉電路中元件皆為NMOS,
COMS互斥或閘
輸入邏輯準位相同則輸出為低電位,輸入邏輯準位相異則輸出為高電位
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NMOS反或閘
將一個以上的電晶體驅動適當地加以並聯,再搭上負載電晶體就可以建構出NMOS反或閘
CMOS反或閘
上方由兩個串聯聯的POMS組成上拉網路,產生動作時會輸出上拉至高電位,下方由兩個串聯聯的NOMS組成下拉網路,產生動作時會輸出下拉至低電位,
金氧半場效電晶體反及閘
NMOS反及閘
輸入端為高電位,通常以1或H表示,驅動電晶體導體,進入歐姆區視為開關短路
輸入端為低電位,通常以0或L表示,驅動電晶體導體,進入截止區區視為開關斷路
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