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Desplazamiento - Coggle Diagram

- - - - Ordinaria (OMR o MR)
      - Anisotrópica (AMR)
      - Gigante (GMR)
      - Colosal (CMR)
      - de efecto túnel (TMR)
      - Anisotrópica de efecto túnel (TAMR
      - De spin hall (SMR)
      - No local
      - Hanle
    - - R_o\rightarrow resistencia\ de\ campo\ externo\ aplicado
        
        H_o\rightarrow Campo\ especifico\ del\ sensor\
        
        \alpha\rightarrow anuglo\ entre\ I\ y\ M
        
        ∆Ro→ máximo cambio de resistencia
        
        •Aplicaciones y formas de instalación y uso.
        
        El funcionamiento de los sensores de desplazamiento magnetoestrictivos se basa en el principio de medida por magnetoestricción, que hace que los materiales cambien de forma y orientación en presencia de un campo magnético.
- - - - Basan su funcionamiento en el movimiento de un núcleo dentro del cuerpo del sensor que tiene arrollados los bobinados, de ahí que en esencia sea un transformador con su núcleo móvil.
      - Rango disponible: Desde 2 a 200mm, con rangos intermedios.
      - Salida: Analógica amplificada en corriente y voltaje. 4-20mA y 0-20mA, ±5V y ±10V, 0-5V y 0-10V.
      - Linealidad: 0.5% estándar, 0.25% y 0.1% opcional.
      - Protección: IP65 estándar, IP67 e IP68 opcional.
    - - Se trata de un sensor sin rozamiento, ya que, al ser inductivo, la variación es por campo magnético. Este desplazamiento debidamente calculado y calibrado, proporciona una relación entre la inducción de los bobinados y la distancia recorrida.
- - - - • Característica estática
        
        t_1=tiempo de transmisión pulso primario
        t_2=tiempo de haz de reflejo
    - - Cambio en la distancia al objetivo afecta la posición de la lu8z concentrada en el elemento de detección CMOS. Esta información se usa para detectar la posición del objetivo.