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场效应晶体管 2D半导体 - Coggle Diagram
场效应晶体管 2D半导体
理想FET输出特性(张乔)
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本来器件里的电流Id可以改变,由于集成度高,器件相互连接,饱和行为导致每个器件里的电流都是一样的,Id是VDS的函数,也就是说VDS有可能影响输出电流。FET的输出电流应仅取决于输入(栅极)电压,而不取决于集成电路的电压。
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二维材料晶体管
FET器件组成
源极、漏极和栅极组成的三端系统,实现高能效的高速开关
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