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Memória Principal, MAPA MENTAL 4: DISCIPLINA: AOC 2022/2; ALUNO: THIAGO…

- - - - Transferência sincronizada nas duas bordas do clock
      - Frequência de clock alta no barramento
      - Buffering
- - - - Estados 1 e 0
      - São escritas para definir estados
      - Podem ser lidas para verificar estados
  - - - Memória de leitura/gravação
      - Apagamento eletrico em nível de byte, gravação eletrica e volátil
      - RAM Dinâmica (DRAM)
        
        Bits armazenados em carga de capacitor, precisando de renovação mesmo sendo alimentadas
        
        Construção simples, menor por bit, mais barata, mais lenta e usada como memória principal
        
        Basicamente analógico
        
        Linha de endereço ativa quando bit é lido ou escrito (transistor em saturacao)
        
        Escrita:Transfere carga ao capacitor
        
        Leitura: Transistor liga, carga do capacitor deve ser restaurada após processo
      - RAM Estática
        
        Bits armazenados como chaves (flip-flops) - Inerente digital
        
        Sem capacitor = sem vazamento de carga = sem refresh
        
        Complexo, maior por bit, mais caro e mais rápido
        
        Usado como cache, normalmente
        
        Arranjo de transistores gera estado lógico estável (memória)
    - - Memória somente leitura
      - Não apagáve, gravação por máscaras e não volátil
    - - Memória principalmente de leitura
      - Apagável em luz UV, gravação elétrica e não volátil
    - - Memória principalmente de leitura
      - Apagavel eletricamente em ível de bloco, gravação eletrica e não volátil
    - - DRAM: Simples, menor, densa, barata, exige refresh e usada como memória principal
      - SRAM: Rápida, sem refresh e usada como cache