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InAs 基纳米线的制备及其光电器件研究
张 旭 涛, 纳米线的表征技术
形态，晶体结构，成分分布
甚至发光, 半导体纳米线
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PIN型二极管
1.在普通PN结二极管的由P型半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。
2.如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管；如果I层材料为低掺杂的N型半导体，则该二极管可称为ν型PIN二极管。
3.在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体材料组成。
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纳米线光电器件
单根纳米线器件方面
1.Yiming Yang 等于 2015 年用分子束外延生长的纳米线制成了可见光探测器，其中光电增益达到了 10的5次。
2.InAs 纳米线表面态的存在可以束缚光生载电子，使得光照后器件的电流降低，表现为负光电导机制。而热电子的去束缚过程需要热激活，在一定温度下，可长时间处于低电流模式
3.纳米线表面氧化层引起的表面缺陷态对 InAs 纳米线器
件的光电转化有着至关重要的影响
纳米线有序阵列
1.2013年Jesper Wallentin等人将直径180nm的InP纳米线有序阵列用于太阳能光电器件，相比较于使用 InP薄膜，InP 纳米线阵列仅仅占到器件表面积的 12%，却通过纳米线阵列之间的耦合形成的陷光效应使其光电转换效率高达 13.8%。
2.不同于金属催化生长，纳米线阵列制备的选区生长模式可以人为设计直径以及间距大小，来满足不同器件结构的要求。其次，由于不需要催化剂液滴，纳米线生长的模式类似于薄膜生长，因此可以实现均匀的掺杂，形成好质量的P-N 结以及量子点结构。
陷光效应
陷光
是通过设计特殊的结构,使入射光线发生反射、折射和散射,分散到各个角度,增加光程,使光吸收增加加.太阳能电池通过陷光效应来实现高效的光学管理,增大光捕获效率,从而提高电池的光电转换效率.
常见的陷光策略
电池前表面引入织构及抗反射涂层,减少反射损失例如表面等离激元、光子晶体、衍射光栅、光学共振器等
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