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Transistores de efecto de campo, La más utilizada es la de surtidor común…

- - - - Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
- - - - Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.
      - Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
      - Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
    - - Surtidor común (SC)
      - Drenador común (DC)
      - Puerta común (PC)