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第八章 - Coggle Diagram
第八章
JFET(接面場效應電晶體)
輸出電流方程式
ID = IDss*(1-VGS/VP)^2
VGS<=VP
ID=0
IDss=Ids|VGS=0
最大飽和電流
VGS(off)=VGS|Id=0
夾斷電壓
偏壓
自給偏壓
優點
具有負回授特性,增加電路穩定性
缺點
元件數增加
分壓式偏壓
優點
減少電源變動的影響,電路穩定性最高
缺點
元件數最多
固定偏壓
優點
元件數少,電路簡單
缺點
穩定性最差
通道
P通道
電洞完成導電
歐姆區
VGD<VP(VDS>VGS-VP)
功用
當作壓變電阻
N行閘極
飽和區
VGD>=VP(VDS<=VGS-VP)
用於線性放大
N通道
歐姆區
VGD>VP(VDS<VGS-VP)
功用
當作壓變電阻
飽和區
VGD<=VP(VDS>=VGS-VP)
功用
用於線性放大
電子完成導電
P型閘極
輸出特性曲線VDS-ID
D-MOS(空乏型)
截止區
構造
符號
n通道
直流分析
固定型
VGS = VGG
ID = IDSS(1-VGS/Vp)^2
VDS = VDD - IDRD
零偏壓
VGS = 0
ID = IDSS
VDS = VDD - IDRD
自給偏壓
VGS = -IDRS
VDS = VDD - ID(RD + RS)
分壓式偏壓
VGS = VDD * ([G1/(RG1+RG2)] - IDRS
VDS = VDD - ID(RD+RS)
p通道
飽和區
構造
特性曲線
夾止區
構造
特性曲線
公式
ID = IDSS * (1-VGS/VP)^2
k * (VGS - Vt)^2
k = IDSS/Vp^2
E-MOS(增強型)
符號
特性曲線
電流方程式
Id=K(Vgs-Vt)^2
構造
偏壓種類
分壓式偏壓
優點:提供閘極偏壓、減少電源變動影響
缺點:元件數多
含源極電阻之分壓式偏壓
優點:有偏壓式優點、Rs有負回授特性、穩定性最高
缺點:元件數最多
固定偏壓
優點:電路簡單、元件少
缺點:穩定性最差
汲集回授偏壓
優點:Rg提供閘極偏壓迴路、具有負回授特性、可增加穩定性
缺點:易受電源變動
FET與BJT比較
FET
1.單載子元件
2.電壓控制
3.輸入阻抗無限大
4.干擾雜訊小
5.較高溫度穩定特性
6.較小電流輸出
BJT
1.雙載子元件
2.電流控制
3.輸入阻抗K歐姆級
4.干擾雜訊大
5.較小溫度穩定特性
6.較大電流輸出