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CH7 - Coggle Diagram
CH7
4、Radiation transducer
介紹
偵測光子數量,將之轉換為電子訊號(電流趨勢)
可將不同物理量轉換成訊號
特色
1、高靈敏
高的 訊號-雜訊比值(比較不會接收到雜訊)
在一大範圍內不同的波長和能量的感應都很穩定
沒有光照時不會有訊號
反應速度快
基本要件
吸收輻射線的活性表面
電子會被放出來,產生電子電洞對,產生光電流
輻射線能將電子提升至導電帶
Barrier-layer phtotvoltaic cell
主要要件
基底電極(下)
半導體(活性表面)
半透光金屬膜(radiation才能穿過)(上)
外電路連接
過程(偵測光子)
輻射線打到活性表面,電子提升至導電帶,產生電子電動對
電子跑到導電帶,往上衝至金屬層,走外電子線路出去,被電流既偵測
電動往下流至基底電極
真空光子管
主要元件
陰極低電位
陽極高電位
光放射性金屬(位於陰極低電位)
(電子被放射之活性界面)
管內密封真空
否則電子可能會跟其他外在分子撞擊,能量就會降低,掉到陽極後就無法測到電流
過程
光打到活性表面,活性表面放射出電子,電子往高電位衝,即可測出電流
光電倍增管
不止有陰極和陽極,還具有其他電極(很多)
電極的電位都比前一個還要高90V (電子衝出來才會衝像高電位)
每當一個電子撞擊電極時,會在誘導電極放出更多電子,而每次放出來的電子都會比打進去的多,如此一來形成訊號放大
電流越來越強造成熱電流,一但溫度提高就會導致一些高能階的電子自己跑到導電帶,所以需要其他冷卻裝置
Silicon photodiods transduce
Siliconu上有p-n junction(p-正電,n-負電
施加一個偏壓,造成p-n介面的導電度降至0(讓起始為0,沒有背景訊號),形成一個depletion layer(空乏區)沒有電子電動對,因為沒有電子所以導電度低,電阻大
當輻射照的晶片,p-n介面又產生電子,但因為偏壓,電子衝向兩極(p極 or n極),產生電流
Arrays
有很多個感光元件,每一個都只吸收特定的波長
1、光譜所需元件
輻射能量光源
裝sample的容器
可截取限制範圍的光譜的儀器以測量
偵測器,可將輻射能量轉為電子訊號
將訊號轉為可讀
CH6
輻射
折射
反射
繞射
散射
波長特色
頻率不變
輻射速度取決於穿過介值的成分
輻射的電磁場會和物質中的電子互相作用,減慢傳播速度,波長變短
CH9
atomic absorption spectroscopy
吸收儀器
光子測量
radiation 光源
hollow cathode lamp
元件
陽極
使用惰性氣體(Ne、Ar)
圓柱陰極
(用要測光譜的金屬做)
使用原因
原子能階很清楚所以只會有限光譜
不能使用一般光(有很多波長),原子只會吸收其中一個波長,儀器無法分辨是否有吸收
用中空陰極射線管,只會產生線光源,原子若有吸收,就能很明顯分辨
過程
sample原子化技術
電熱原子化
比火焰加熱的方式好
優點
原子停留時間較長
(最佳優點)
sample可以全部原子化
提高敏感度(檢測限制低)
缺點
分析線性範圍較窄
每個元素需要的時間較多
精確度較低
介紹
溫度可加熱到2000-3000K
Sample放在電熱石墨管
火焰原子化器
會因為使用不同的燃料和氧化劑而有所不同
燃料、氧化劑
燃料:甲烷、乙烷 (天然氣)
氧化劑:空氣
note:乙炔+氧氣溫度最高3050~3150K
Primary
主要燃燒區
往interzonal越來越高溫
藍色的光,主要來自於C2、CH等官能基或是分子所產生的
這裡的熱源很不穩定
很少拿來測光譜(radiation不會往這裡打)
Secondary zone
火最外圍的地方
最低溫
Interzonal
介於2區域之間的地方 ()
最高溫
原子數目最多、radiation打的地方
(溫度越高原子化效果越完整)
自由原子很多
最廣泛被用來測光譜的
(除了一些表現較特別的原子)
距離大約在出口的2~3cm之間(由燃料噴進來的開口開始算)
干擾
在原子會特別明顯
光譜的干擾
化學干擾
分析技術(偵測器)
原子螢光光譜
能階
電子態
來自電子在帶正電的原子和周圍運的的各種狀態
2、輻射光源
連續光源
光源
for UV
氚燈
for visible
鎢絲燈
用途
吸收
螢光
線光源
光源
汞、鈉蒸氣燈
中空陰極管
用途
原子吸收
原子&分子螢光
拉曼
雷射
因為有很多coherent進行建設性干涉,所以造成amplified
3+1過程
(同時發生)
Pumping
高電子能階或震動能階被活性物種填滿
Stimulate emission
激發態受光子撞擊力及放出同相位的光子到較低的能階
Spontaneous emission
電子在激發態以自體放射的方式失去部分或全部多餘的能量
Absorption
光子吸收能量至激發態,會和stimulated emission競爭
Inversion
(倒至作用)(正常狀況:低位能電子多)
Inverted
光放大現象
光子數量大多從高能階跑到低能階(放出能量)
stimulated emission >absorption
Non-inverted
光減弱現象
較多光子在低能階,經過absorption後到高能階,但也未形成穩定的inversion
stimulated emission <absorption
穿透度&吸收度(補充)
T (transmittance)
定義: T=P/P0 x100%
A (absorbance)
定義: -logT=log(P0/P)
Beer's law
A=abc
3、波長選擇器
Filter
Interference (干涉)
某波長不吸收or某波長必吸收
可用在uv、visible、IR rogion
component
1.透明介電材質(最內層)
2.兩半透明金屬薄層
3.兩玻璃包夾(最外層)
如何選擇波長
介電材質之厚度d可以決定穿透輻射之波長值
波長=(2d/n)/N干涉級數
dichroic filter
特定波長值的輻射線會增強,其他波長值的輻射線會發生破壞性干涉
Holographic
全息影像濾光片
作法
靠光學的干擾得到較窄的譜帶寬度
過程
4.此結構塗上AL或是反射材質,及形成hologrophic reflection grating
3.在敏感區域會顯影,或是被溶解,受質表面留下槽狀結構
2.兩個連貫的光束有高度一至性,在干涉圖形產生明暗條紋
1.光束被分別導向,重新結合在一光敏性的薄片上
Absorption
通常用在可見光,不用在高能量
特色
吸收可見光範圍的波長
包含有色玻璃、有染料的兩片玻璃
種類
Absorption
cut-off
幾乎可達100%吸收,但其他部分的 吸收度則會快速下降到0
得到狹窄的譜帶
缺點
濾光片本身會擋掉一些光,穿透度較低,非100%穿透度,即便是可以通過的波長,強度也會降低
單光器 monochromators
單光器的光學元件
光學影像入口
提供一正方形的
直透鏡或鏡子
可以產生平行光的
稜鏡或光柵
可以將輻射散為各組成波長
聚焦元件
將影線重新聚焦
Prism稜鏡
角色散現象
發生在兩表面的折射,使輻射線產生角色散現象
常配合狹縫使用
和頻率無關
Grating光柵
角色散現象
經反射表面所產生的繞射,產生各波長的角色散現象
不透光、反射會發生繞射
優點
有較佳的波長分離效應
色散的輻射在聚焦平面上呈線性對應關係
便宜
如何評估單光器的能力(總結)
光譜純度
是否受到其他少量的散射或其他輻射線所污染
色散能力
分離不同波長直的能力
解析能力
可以分離相鄰的兩個波長(只有修為差距)的影像的極限能力
聚光能力
收集來自入口輻射線的能力表現
階梯型單光器
包含兩種串聯排列的色散元件
第一個光柵連著稜鏡
(低波長色散)