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FET 場效電晶體 (場效應電晶體的類型 (DEPFET是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子…
FET 場效電晶體
場效應電晶體的類型
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ISFET是離子敏感的場效應電晶體,它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度（例如pH值）改變，通過電晶體的電流將相應的改變
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FET工作
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汲極源極電壓對電流的影響
無論是增強模式還是空乏模式器件，在漏源電壓遠小於柵源電壓時，改變閘極電壓將改變通道電阻，漏電流將和漏電壓（相對於源極的電壓）成正比。在這種模式下FET將像一個可變電阻一樣運行，被稱為"線性模式"或"歐姆模式"。
用途
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大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。互補式金屬氧化物半導體過程技術是現代數位積體電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的p通道MOSFET和n通道MOSFET（通常在提高模式），使得當一個開，另一個則關。
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在FET中，當在線性模式下運行，電子能向各個方向流動通過通道。當器件是特別的從源極到汲極的對稱製造，汲極和源極的名稱變化有時是隨機的。這使得FET適合用來開關路程間的類比訊號。例如，由這一概念，固體混合板就可以被構造出。
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歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被製造出來。
1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
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