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FET ((摻雜FET的通道用來製造N型半導體或P型半導體。, 在空乏模式的FET下，漏和源可能被摻雜成不同類型至通道。,…
FET
摻雜FET的通道用來製造N型半導體或P型半導體。
在空乏模式的FET下，漏和源可能被摻雜成不同類型至通道。
場效應電晶體根據絕緣通道和柵的不同方法而區分。
或者在提高模式下的FET，它們可能被摻雜成相似類型。
場效電晶體
它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。
場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載子型作用對比雙極性電晶體。
由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
是一種通過電場效應控制電流的電子元件。
組成
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
圖片
FET工作
閘極電壓對電流的影響
導電通道是從源極到汲極的電子流。
通道是由（是否）加在閘極和源極的電壓而創造和影響的（為了討論的簡便，這默認體和源極是相連的）。
FET通過影響導電通道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者電洞流）。
三甲 7 紀宗旻
