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FET (JFET (歐姆區(電阻性質) (P (0<VGS<VP (0<VGD<VP)), N (VP<VGS<…
FET
JFET
歐姆區(電阻性質)
P
0<VGS<VP
0<VGD<VP
N
VP<VGS<0
VP<VGD<0
飽和區(可供放大，線性區)
P
0<VGS<VP
0<VP<VGD
N
VP<VGS<0
VGD<VP<0
截止區(無電流)
N
VGS<0<VP
VGD<VP<0
P
0<VP<VGS
0<VP<VGD
N通道
NJFET
導電電子為電子
VP<VGS<0有電流
VG<VS
P通道
PJFET
導電電子為電洞
0<VGS<VP有電流
VG>VS
COMS
優點
消耗功率低
溫度穩定性高
體積小，意製造
扇出數大
雜訓勉益強
缺點
信號轉換速率慢
輸入端議生靜電，造成絕緣層破壞
輸入腳不能接空，否則易受靜電破壞
MOSFET
空乏型
ID=IDSS X ( 1-VGS / VP )2
gm=2IDSS / |VP| X (1-VGS / VP)
VGS>0，通道寬度變大，導電性增大，電流變大
VGS<0，通道寬度變小，導電性增小，電流變小
VGS<VP<0，VP=VGS(off)截止電壓
增強型
ID=K(VGS-VT)2
gm=2K(VGS-VT)
源極(S)
共源極(CS)
輸入阻抗ZI=RG
輸出阻抗ZO=RD//rd
電壓增益AI=AV X ZI / RD
電壓增益AV=-gm x (rd//RD)
汲極(D)
閘極(G)