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第八章 場效應電晶體 (FET (Zi (MΩ以上), vr (無), 製作密度 (高), 頻率響應 (差), 工作載子 (單載子)), BJT…
第八章 場效應電晶體
FET
Zi
MΩ以上
vr
無
製作密度
高
頻率響應
差
工作載子
單載子
BJT
zi
KΩ以下
Vr
SI 0.7V,GE 0.3V
製作密度
低
工作載子
雙載子
頻率響應
較佳
FET
JFET
h通道
P通道
MOSFET
D-MOS
p通道
h通道
E-MOS
h通道
p通道