Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
BJT VS MOSFET (Come interruttore (Il MOSFET è un dispositivo sia analogico…
BJT VS MOSFET
Come interruttore
Il MOSFET è un dispositivo sia analogico che digitale, quindi può essere usato come interruttore elettronico
STATO OFF:
- Vgs < Vt ad arricchimento
- Vgs < Vgs(off) a svuotamento
STATO ON: Per portare in piena conduzione un NMOS occorre fornire una Vgs sufficientemente alta, in modo da portare il dispositivo in zona resistiva. Lo stesso vale per un PMOS, solo che in questo caso la Vgs sarà negativa.
STATO OFF:
- Vgs > Vt ad arricchimento
- Vgs > Vgs(off) a svuotamento
-
I transistor Mosfet, sono dei componenti elettronici unipolari di grande importanza che hanno permesso lo sviluppo di molti circuiti integrati, sia analogici che logici.
-
-
Come interruttore
Quando il transistor viene usato come interruttore, il dispositivo viene usato facendolo commutare fra la zona di saturazione e la zona di interdizione.
STATO ON: Quando viene portato in zona di saturazione, il transistor presenta una VCE molto bassa: esso viene considerato un interruttore chiuso
STATO OFF: Lo stato aperto OFF si ottiene portando il transistor in interdizione , in questo caso infatti IC come pure IB, sono considerate nulle.
Viene chiamato BJT perchè in esso, il processo di conduzione coinvolge portatori di entrambe le polarità, positiva e negativa. I transistor bipolari sono costituiti da due giunzioni PN ottenute dal cristallo di un semiconduttore drogato in modo opportuno. Se ne realizzano due configurazioni: NPN e PNP. La zona di semiconduttore comune è denominata base (B), le altre due zone sono chiamate rispettvamente emettitore (E) e collettore (C)
-
-
Polarizzazione
Se consideriamo un MOS ad arricchimento ( ma le stesse considerazioni valgono per un NMOS a svuotamento ) la polarizzazione può essere costituita dalla classica rete di autopolarizzazione con partitore sul gate.
La rete può eventualmente essere dotata della resistenza di stabilizzazione rispetto alla deriva termica RS.
Polarizzazione
La polarizzazione del transistor, di fatto, viene ottenuta dal circuito precedente andando ad individuare sulle caratteristiche di uscita l'intersezione fra la retta di carico e la curva di uscita corrispondente allo specifico valore di VBE in atto.
ZONA DI INTERDIZIONE: pressochè coincidente con l'asse delle ascisse in cui sia IB che IC hanno valori trascurabili.
ZONA DI SATURAZIONE: con bassi valori di VCE in cui l'insieme delle curve di uscita tendono a confondersi in un unico tratto quasi verticale
ZONA ATTIVA: è la zona centrale delle caratteristiche di uscita, detta anche di funzionamento lineare
-
-