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電晶體BJT Bipolar junction transistor (工作特性 (接面 (Je射基接面 (射基電流=射基電子流+基射電洞流…
電晶體BJT
Bipolar junction transistor
3端點2接面
射極emitter
參雜濃度大,發射電子
箭頭p+指向n-
箭頭向內PNP:向外NPN
順著箭頭P->N
順向偏壓
NPN電晶體中射極是N
多數載子是電子
電子比較快
NPN比較快
PNP電晶體中射極是P
多數載子是電洞
電洞比較慢
基極base
參雜濃度低,控制通過電流
多數載子是電子
為了減少電子複合
寬度小
集極collector
收集電子
特性
α共基極電流增益
Ic/Ie
β共射極電流增益(順向電流增益)
Ic/Ib
Ie=Ib+Ic
工作特性
作動區
放大器
Je順向偏壓;Jc逆偏
飽和區
電晶體短路
JeJc順偏
截止區
開路
JeJc逆偏
如何工作
在接面給予適當直流偏壓Bias
得到工作點Q
輸入信號造成Q點位移
連接Q點形成負載線
接面
Je射基接面
射基電流=射基電子流+基射電洞流
Ie=Ien+Iep
Ien>>Iep
Jc集基接面
空乏區