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IGBT知識 (應用分野 (Motor Drive(Inverter) (Inverter (2-level (2level), 3 level…

- - - - Discrete IGBT
        沒有短路耐量不能應用再PUMP上
    - - 2-level
      - 3 level
  - - - SG
        Synchronous generator
    - - gearbox(齒輪箱)
        
        IG
        Induction generator
  - - - 大功率直流/交流(DC/AC)逆變後驅動
    - - 小功率直流/交流(DC/AC)逆變
        
        小電流IGBT
        
        small IPM
        
        FRD
- - - - solder pin type
      - press fit pin type
      - 適用：エアコン, 小容量のインバータ装置, etc…..
    - - 適用：インバータ, 産業ロボット, サーボ, etc…..
  - - - 本身設計已經有控制IC,配合MCU
      - 裝置可以小型化
      - 適用：エアコン, 小容量のインバータ装置, etc…..
  - - - TO-247
        
        TO247-4L 4pin
        
        TO247-2L 2pin
        
        Stanard 3pin
    - - W series
        
        適用
        
        High-Speed W
        series
        
        PFC,Welding,UPS,Solar,etc
        
        FSW:10k ~ 100kHz
        
        High-Speed V
        series
        
        FSW:~30kHz
        
        PFC,Welding,UPS,Solar,etc
        
        V series
        
        Motor Drive
        
        FSW:~10kHz
      - XS series
        
        適用
        
        UPS, Solar etc
        
        不適用需要短路耐量保護的,e.g pump
        
        FSW:10k~40kHz
  - - - 3レベル回路をパッケージ内で構成
      - FUJI RB-IGBT使用
    - - press fit pin type
      - solder pin type
- - - - 平面式與溝槽式
        
        平面式
        
        溝槽式
    - - 通過 P 層空穴的注入能夠降低器件的導通電
      - 隨著電壓的增大,
        MOSFET 的導通電阻也變大,
        因而其傳導損耗比較大,
        尤其是在高壓應用場合中
  - - - 高輸入阻抗
      - 容易驅動
      - 切換數度快
    - - 低通電壓降
      - 可耐高壓跟大電流
      - 廣泛操作空間
    - - 600V以下應用為消費性電子產品
        市場上可能還是多用MOS
        (價格問題)
  - - - 市場常見品
    - - SW切換比Si快速,價格昂貴,未來發展主力
- - - - FWD chip
      - IGBT chip
      - RC-IGBT
        
        IGBT chip+FWD chip合成1個Chip
        
        等效電路
        
        架構
        
        逆導通 IGBT(RC-IGBT: Reverse-conducting IGBT)
    - - Inverter部
      - Break(煞車)
      - Converter部
- - - - 栅极-發射極間漏電流
        
        IGES
        
        C-E間短路的狀態下,G-E之間施加指定電壓時的G-E漏電流
        
        (Gate-emitter leakage current)
      - 輸入電容
        (Input capacitance)
        
        Cies
      - 輸出電容
        (Output capacitance)
        
        Coes
      - 反向轉移電容
        (Reverse transfer capacitance)
        
        Cres
      - 二極體正向電壓
        (Diode forward on voltage)
        
        VF
      - 集電極-發射極間斷路電流
        
        ICES
        
        (Zero gate voltage collector current)
        
        G-E間短路的狀態下,C-E之間施加指定電壓時的C-E漏電流
      - 柵極-發射極間閾值電壓
        (Gate-emitter threshold voltage)
        
        VGE(th)
        
        (Gate-emitter threshold voltage)
        
        指定C-E間電流（IC）和C-E間電壓（VCE）的G-E間電壓( VGE）
        
        作為C-E間開始流入微弱電流的VGE值、 IGBT開始ON的VGE標準使用）
      - 集電極-發射極間飽和電壓
        
        (Collector-emitter saturation voltage)
        
        指定VGE中流過額定集電極電流時的VCE值
        
        VCE(sat)
        
        通常，VGE=15V，計算損耗時的重要值
    - - 反向恢復電流
        (Reverse recovery current)
        
        Irr(Irp)
      - 反向恢復時間
        (Reverse recovery time)
        
        trr
      - 下降時間
        (Fall time)
        
        tf
      - 開通時間
        (Turn-on time)
        
        ton
      - 上升時間
        (Rise time)
        
        tr
        
        tr(i)
      - 關斷時間
        (Turn-off time)
        
        toff
    - - 集電極
        
        Collector
        
        コネクター
        
        符號簡稱: C
      - 發射極
        
        Emitter
        
        エミッタ
        
        符號簡稱: E
      - 柵極
        
        Gate
        
        ゲート
        
        符號簡稱: G
  - - - Tj Max
        
        市面上產品大多落在175度
      - Tj OP
        
        INV實際運作時的Tj (最大值)
        
        部分產品如FUJI V系列以前都在150度,X系列為175度,
        
        車用產品在175度
  - - - 必定存在個電極之間
        
        C-E極之間
        
        Cce
        
        E-G極之間
        
        Cge
        
        有時候會多外掛Cge 解決SW問題(如增加減少di/dt)
        
        C-G極之間
        
        Cgc
      - 入力容量 Cies = Cgc + Cge
        
        ドライブ回路はこの入力容量を充放電するだけの能力が必要であり、充放電時間がスイッチング特性に大きく影響
      - 出力容量 Coes = Cce + Cgc
      - 帰還容量 Cres = Cgc
  - - - RBSOA
    - - SCSOA
  - - - RG
      - 栅极串联电阻值（标准值记录在开关时间的测定条件中）
- - - - 半田不良
      - 建議溫度
        
        270 ± 5 ℃　7 +2/-0 sec　(フロー)
        
        FFUJI
        リフローやフローの推奨プロファイルは出していません
        推奨ハンダ付け条件(ハンダ耐熱性)を越えないでいい
        
        350 ± 10 ℃　3 ± 0.5 sec　(ハンダごて、手ハンダ)
    - - 扭力建議值
      - 螺絲
  - - - IGBT Loss =
        On-state loss + Turn-on Loss + Turn-off Loss
  - - - 過電壓破壞
    - - Rg調整
      - 回路電感Ls值越小越好
- - - - FUJIの推奨
        PN間の一括Cスナバ
      - Cスナバ
      - RCDスナバ
      - RCスナバ