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電晶體構造及特性 (特性 (若外加偏壓 Vbias 大於零，則可提高 P 型區電位或降低 N 型區電位。當 PN 順向…
電晶體構造及特性
特性
若外加偏壓 Vbias 大於零，則可提高 P 型區電位或降低 N 型區電位。當 PN 順向 偏壓超過切入電壓時，電流很大，所以 阻抗很小，故稱為順向偏壓。
PN 兩側 的多數載子受逆向偏壓所吸引，而湧向外加偏壓兩端，使接面空乏區變大，使得 空乏區電位越來越大，多數載子就越不能流過接面，故稱為逆向偏壓。
接點
E表示射極(emitter)
射極是一個具高摻雜濃度的區域，主要將自由電子射入基極。
B表示基極(base)
基極的摻雜濃度較低而且很薄，負責將射極注入的電子傳送到集極。
C表示集極(collector)
集極的摻雜濃度介於射極與基極之間，由其名稱可知，它收集由基極送來的大部分電子。
介紹
是一種類似於閥門的固態半導體元件，可以用於放大、開關、穩壓、訊號調變和許多其他功能。
電晶體原本是由一種被稱為「鍺」的物質所製成的。鍺有著溫度到達約80°C左右時就會遭到破壞的缺點，因此，目前多以矽為主要原料。
構造
電晶體也稱為雙極性接面電晶體是一種由電流驅動的半導體元件，可用於控制電流流動； 電晶體可以用來放大微弱的訊號、當作振盪器或開關。
電晶體符號
