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IGBT (Ventajas combinadas (MOSFET (Pequeña energia (Conmutación), Puerta…
IGBT
Ventajas combinadas
MOSFET
Puerta de alta impedancia
Pequeña energia
Conmutación
BJT
Voltaje de estado activo
Pequeño
Incluso con dispositivos
Altos voltajes nominales
GTO
Se puede diseñar
Bloquear
Tensiones negativas
Transistores bipolares de puerta aislada
Tiempos de conexión y desconexión
Orden de los milisegundos
Módulos en rango
1700 V y 1200 A
Rangos de tensión
De 2 a 3 kV
Grafica carateristica
Idealizada
Real
Simbología
