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BJT (Estructura vertical (Diseno monolitico de conexion Darlington…
BJT
Estructura vertical
Diseno monolitico de conexion Darlington
ganancias pequenas
cuatro capas
dopaje alterno tipo p y n
colector, base, emisor
emisor y base interfoliadas
espersor region arrastre determina tension de ruptura
voltaje ruptura
cundo base esta en circuito abierto
maximiza area seccion transversal
control disipacion de potencia
Fisica Operaciones
union colector base es polarizacion inversa
cuasisaturacion
acumulacion de portadores excedente en region arrastre
cuando los portadores pasan la region de arrastre por completo da saturacion severa
Union base emisor es polarizacion directa
Corriente base pequena
corriente colector mayor
caida de ganancia
apilamiento de corriente en el emisor
modulacion de conductividad en la base
corriente mas grande en el colector y emisor
ganancia
dopaje emisor
tiempo vida larga de portadores minoritarios
espesor corto base
Tension ruptura
5V a 20V
Presente union B-E
Ruptura secundaria
caida en picada de tension C-E
Invasion de la base por zona degradacion
modulacion espesor de la base
Caracteristicas conmutacion
apagado
corriente de base a cero
acelera el apagado
corriente negativa
darlington monoliticos
no entra saturacion severa
tiempo conmutacion rapido
encendido
debe suministrar carga al transistor
tiempo de encendido
cirriente en la base
union B-E polarizacion directo
dependiente circuito externo
area operacion segura
limitados segunda ruptura
Combinacion de tension y corriente permisible