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場效電晶體構造與特性 二甲 34 翁嘉宏 (類型 (DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DN…
場效電晶體構造與特性
二甲 34 翁嘉宏
網址
https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%9C%BA%E6%95%88%E5%BA%94%E7%AE%A1
https://market.cloud.edu.tw/content/vocation/electronic/tp_ss/unit4/unit4.htm
https://www.rohm.com.tw/electronics-basics/transistors/tr_what5
歷史
起源
1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
分類
街面場效應電晶體(JFET)
金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)
類型
DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈。
FREDFET是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET。
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個閘極的MOSFET。
HEMT，也被稱為HFET，是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
DEPFET是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器
IGBT是一種用於電力控制的器件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。它們一般用於漏源電壓範圍在200-3000伏的運行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件.
ISFET是離子敏感的場效應電晶體,它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度改變，通過電晶體的電流將相應的改變。
MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一個蕭特基勢壘替代了JFET的PN接面；它用於GaAs和其它的三五族半導體材料。
MODFET（Modulation-Doped FET）用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。
OFET是有機場效應電晶體（Organic FET），它在它的通道中用有機半導體
MOSFET用一個絕緣體（通常是二氧化矽）於柵和體之間。
NOMFET是奈米粒子有機記憶場效應電晶體。
組成
大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的
有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
心得
經過這次的心智圖，讓我對場效電晶體更加了解。了解
到更多有關場效電晶體的知識。