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場效電晶體構造與特性 第二組 陳怡伶 蔡錫寬 黃昱翔 羅詩翎 賴冠宇 劉信緯 (電極 (所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、…
場效電晶體構造與特性
第二組
陳怡伶 蔡錫寬 黃昱翔
羅詩翎 賴冠宇 劉信緯
場效電晶體
它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性
場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載子型作用對比雙極性電晶體
電極
所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個
分別大致對應雙極性電晶體的基極（base）、集極（collector）和射極（emitter）
除了結型場效應管外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或基板（substrate）
電晶體歷史
於1948年在貝爾電話實驗室中誕生
電晶體構造跟特性
電晶體原本是由一種被稱為「鍺(Germania)」的物質(半導體)所製成的。
電晶體的功能為「放大」與「開關」。
FET工作
FET通過影響導電通道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流
空乏模式
一個負的柵源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度
增強模式
相反的，在一個n通道"增強模式"器件中，一個正的柵源電壓是製造導電通道所必需的，因為它不可能在電晶體中自然的存在
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
場效應電晶體的類型
摻雜FET（解釋如下）的通道用來製造N型半導體或P型半導體。
Depleted FET Dual-gate MOSFET Fast Recovery Epitaxial Diode FET
