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場效電晶體
二年甲班17陳堃哲 (類型 (DEPFET（Depleted FET）是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的…
場效電晶體
二年甲班17陳堃哲
類型
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HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質接面場效應電晶體，heterostructure FET），是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
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