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場效電晶體構造與特性 (電極 (所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應雙極性電晶體的基極（b…
場效電晶體構造與特性
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場效應電晶體的類型
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HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質接面場效應電晶體，heterostructure FET），是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種用於電力控制的器件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。它們一般用於漏源電壓範圍在200-3000伏的運行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件.
ISFET是離子敏感的場效應電晶體（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度（例如pH值）改變，通過電晶體的電流將相應的改變。
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