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場效電晶體構造與特性
二甲 7號 紀宗旻 (場效應電晶體的類型 (FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode…
場效電晶體構造與特性
二甲 7號 紀宗旻
場效應電晶體的類型
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HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質接面場效應電晶體，heterostructure FET），是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
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IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種用於電力控制的器件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。它們一般用於漏源電壓範圍在200-3000伏的運行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件.
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ISFET是離子敏感的場效應電晶體（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度（例如pH值）改變，通過電晶體的電流將相應的改變。
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歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被製造出來（結型場效應管）。1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
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組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
心得
經過了這一次場效電晶體構造與特性的作業系統報告之後，雖然我並沒有全部了解有關於場效電晶體的各種構造與特性，但是沒關係，我會想盡辦法去了解吸收有關於場效電晶體的構造與特性，還有會去理解這方面的各種知識。