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場效電晶體構造與特性 二甲 9號 張永育 二甲 6號 柯旻宗 (場效應電晶體的類型 (FREDFET（Fast Recovery…
場效電晶體構造與特性 二甲 9號 張永育
二甲 6號 柯旻宗
介紹
場效電晶體，縮寫FET 是一種通過電場效應控制電流的電子元件。
它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。
場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載子型作用對比雙極性電晶體。
由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明。
但是實用的器件一直到1952年才被製造出來（結型場效應管）。
1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
電極
所有的FET都有
源極（source）
汲極（drain）
閘極（gate)
分別大致對應雙極性電晶體
基極（base）
集極（collector）
射極（emitter）
除了結型場效應管外，所有的FET也有第四端
基（base）
塊體（bulk）
體（body)
基板（substrate）
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。
大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
場效應電晶體的類型
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）
DNAFET
HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor）
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）
ISFET是離子敏感的場效應電晶體（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）
DEPFET（Depleted FET）
JFET
MESFET（Metal-Semiconductor FET）
MODFET（Modulation-Doped FET）
MOSFET
MOSFET
NOMFET
OFET
心得:這次做的作業是場效電晶體，它不僅分很多種類型雖然這次的資料查的很多但還是不能統一起來所以只能用心智圖來表示。
心得：有了這次作業的體驗讓我了解場效電晶體，讓我知道他有很多種類跟用途