場效電晶體構造與特性
05 姜棕賢<=
(這張心智圖的擁有者)
02江兆堂
N通道及P通道JFET結構及電路符號
基本構造
FET是一種三端點的裝置，它包含了一個基本的P-N接面
兩旁的P型區 在內部互相接通(用虛線表示)，稱為閘極(Gate，G)
上端稱為汲極(Drain，D)
下端稱為源極(Source，C)
工作原理
接面場效電晶體是一種經由改變電場來達到控制通道電流流量的半導體元件
P通道JFET：電壓VDS<0，電壓VGS>0
N通道JFET：電壓VDS>0，使電流由汲極流向源極，而為了控制通道大小，則在閘極與源極間外接一逆向篇壓，及電壓VGS<0
工作特性
歐姆區(三極區)
VGS=0時且VDS很小時
VGS不等於0時且VDS很小時
通道內的電壓由汲極往源極方向遞減
電壓VDS很小時，空乏區的寬度可視為均勻一致
若改變閘極逆向偏壓VGS的大小，則空乏區的厚度將隨著逆向偏壓的增加而變大
JFET可作為電壓控制電阻器(VVR)使用，該元件或稱變阻器
飽和區(夾止區)
VGS=0且VDS持續增加時
空乏區由源極往汲極逐漸增大
對於N通道之JFET而言，VP為負值；對於P通道之JFET而言，VP為正值
截止區
崩潰區
當JFET已進入飽和區，若再增加VDS的電壓，最後通道與閘極勢必發生逆向崩潰，並會產生很大的崩潰電流而可能將JFET燒毀。此區域稱為崩潰區
心得05
我覺得場效電晶體這個單元很難，因為他還有分什麼n通道還有p通道，工作特性的崩潰區截止區等等的都記不太起來。
心得02
我發現很多有關場效電晶體的知識和空乏區、飽和區（夾止區）、崩潰區、歐姆區（三極區）等工作特性。還有N通道、P通道，JFET結構及電路符號。