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場效電晶體構造與特性 (類型 (Depfet, Dgmofet, Dnafet, Fredfet), 用途 (IGBT在開關內燃機點燃管中有用。快速…
場效電晶體構造與特性
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用途
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大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。互補式金屬氧化物半導體過程技術是現代數位積體電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的p通道MOSFET和n通道MOSFET（通常在提高模式），使得當一個開，另一個則關。
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FET的類型
DEPFET（Depleted FET）是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器。
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個閘極的MOSFET。
DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈。
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET。
歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被製造出來（結型場效應管）。1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
用途
IGBT在開關內燃機點燃管中有用。快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的。大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。互補式金屬氧化物半導體過程技術是現代數位積體電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的p通道MOSFET和n通道MOSFET（通常在提高模式），使得當一個開，另一個則關。
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