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Fabricación, -Celdas. (s. f.). Recuperado 10 de diciembre de 2020, de:…

- - - - Para este proceso de difusión, la oblea de Si se coloca en un horno a 1000⁰ C en una atmósfera gaseosa de una alta concentración de boro. Un fuerte gradiente de concentración de impurezas resulta en la superficie de la oblea y, por lo tanto, el boro se difunde en la oblea de Si.
        
        A esta alta temperatura (1000 0 C), varios átomos de Si se mueven fuera de sus sitios de celosía dejando vacantes de átomos de impureza de boro
        
        Una vez más, una capa de SiO₂ se cultiva térmicamente en la parte superior y fotograbado. La difusión del emisor (tipo n) se realiza a través de la abertura en la capa de SiO₂ dando como resultado una pequeña región de tipo n. La base de tipo p resultante tiene un ancho muy pequeño de 5μm o menos.
        
        Finalmente, se cultiva térmicamente una capa nueva de SiO₂, se hacen fotograbados y se hacen contactos de aluminio a través de la abertura para el emisor y los cables de base
        
        Se forma una capa metálica en la parte inferior de la oblea y El cable colector está conectado a él.
- - - - El proceso de formación de la unión p-n, se realiza mediante la introducción de las impurezas de Fósforo en el Silicio a través del proceso térmico denominado Predifusión.
        
        Este proceso tecnológico, se efectúa a partir de una fuente de impurezas que garantice una concentración superficial constante en la superficie del semiconductor.
        
        La variante tecnológica más utilizada para la obtención del proceso de predifusión, se realiza a partir de una fuente de dopante líquida de Oxicloruro de Fósforo (POCl3) en un horno de difusión a altas temperaturas.
        
        La carga predominante en n son los electrones, y en p los huecos. Al unirse para llegar al equilibrio, se desprende una carga positiva de p hacia n en la frontera de la unión y viceversa, negativa de la n a la región p. En este caso una vez logrado el equilibrio se forma el campo propio de la juntura p-n.
        
        Al incidir la luz sobre la celda, por la acción de los fotones se generan portadores minoritarios en el semiconductor, o sea, electrones en la zona p y huecos en la zona n. Estos portadores bajo la acción del campo eléctrico se desplazarán hacia una región u otra.
        
        Los electrones se mueven en contra del sentido del campo eléctrico de la juntura p-n, o sea, en este caso hacia la región n. Los huecos se mueven a favor del campo eléctrico, o sea, en este caso hacia la región p.
        
        Esto trae como resultado que la zona o región n, recibe un exceso de carga negativa y la p de carga positiva.
        En la medida en que la celda siga recibiendo luz, este proceso se mantiene ininterrumpidamente, y si cerramos el circuito y colocamos una carga, podemos comprobar el paso de una corriente, que no es más que la corriente que genera la celda solar.
      - Diodo
        
        El diodo está construido por dos tipos de materiales un “P” y un “N”
        
        Material tipo P
        Este material se obtiene a través de un proceso de dopado, en el cual se añaden átomos al semiconductor para aumentar el número cargas positivas o huecos.
        
        Material tipo N
        Este material también se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, en este proceso también se añaden átomos al semiconductor, pero con la diferencia que se aumenta el número de cargas negativas o electrones.
        
        Dopaje se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.