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Memorias, MOPOSITA JAIR - Coggle Diagram

- - - - Los tiempos en que la información está en los módulos es bastante corto.
      - Si hay un corte de electricidad la información tiende a desaparecer.
      - Es el componente más importante del ordenador.
      - Procesa la información que necesita el procesador principal.
      - Es también llamada acceso aleatorio porque en ella se puede escribir y leer sin seguir un patrón específico.
    - - La primera es la VRAM o Video Random Access Memory, esta es una memoria que se diferencia de las demás ya que puede ser accedida por dos dispositivos de manera simultánea. Si buscas obtener un mejor rendimiento gráfico, VRAM es la mejoropción.
        
        La memoria DRAM o Dynamic Random Access Memory, cuenta con gran capacidad, sin embargo, requieren de una constante actualización. DRAM está basada en condensadores que pierden su carga progresivamente, por lo que necesita un circuito dinámico de actualización que se ejecuta cada cierto periodo. Este tipo de memoria ya no seutiliza.
        
        También se encuentran las SRAM o Static Random Access Memory. Se dice que son estáticas porque requiere ser actualizada una menor cantidad de veces que la anterior. Las memorias SRAM son muy difíciles de conseguir en el mercado pues ya no se comercializan. Su característica principal es que ofrecen una velocidad desde 66 hasta 133MHZ. Adicionalmente se caracterizan por su módulo de dos muescas y el número total de contactos, que es de 168.
        
        Luego de la SRAM surgió DDR RAM como remplazo. Su característica principal es que está sincronizada y funciona enviando datos con redundancia en cada ciclo de reloj. Esta nueva memoria solo cuenta con una muesca y 184 contactos de conexión con la tarjeta madre, además ofrece una velocidad entre 200 y 600MHZ.
        
        Con el paso de los años, las memorias RAM fueron evolucionando. Un ejemplo de ello es la DDR2, a la cual se le realizaron una serie de cambios que permitieron mejorar su rendimiento. Con respecto a la anterior memoria, la muesca de la DDR2 se ubica a dos milímetros hacia la izquierda. Adicionalmente, otra de sus características es que cuenta con 240 contactos y puede trabajar a velocidades entre 400 y 800MHz.
        
        Como remplazo a la DDR2 nace la memoria RAM DDR3, una de las más utilizadas gracias a que su velocidad de transferencia de datos era mucho mayor, incluso el doble que la DDR2, y el consumo de energía era menor.
        
        De la generación de las DDR encontramos también la memoria DDR4, la cual ofrece un mayor rendimiento con un menor consumo de energía de hasta el 40%, y un ancho de banda de hasta 50%. Por otro lado, su velocidad mínima de datos por pin es de 1,6 Gb y la máxima inicial de 3,2 GB.
        
        Otra memoria RAM es RAMBUS, esta puede ofrecer velocidades entre 600 y 1066MHz. Tiene 184 contactos, cada uno de estos funciona como un módulo. En su tiempo, a nivel de rendimiento, era una de las mejores RAM, pero su principal desventaja es que era un componente muy costoso, y al momento de expandirse masivamente no tuvo el éxito que se esperaba debido a que su alto costo redujo su número de compradores.
  - - - La escritura se realiza una sola vez
      - La información queda grabada aunque se le retire la energía eléctrica
      - La capacidad de la memoria ROM de un ordenador: se encuentra entre 8K a 16 K, un número suficientemente grande para que esté justificado asombrarse ante la cantidad de información necesaria para llenar tal cantidad de posiciones.
    - - EPROM
        
        Memoria progamable y borrable de sólo lectura o EPROM, son chips de memoria que se programan después de su fabricación. Son un buen método para que los fabricantes de hardware inserten códigos variables o que cambian constantemente en un prototipo, en aquellos casos en los que producir gran cantidad de chips PROM resultaría prohibitivo. Los chips EPROM se diferencian de los PROM por el hecho de que pueden borrarse por lo general, retirando una cubierta protectora de la parte superior del chip y exponiendo el material semiconductor a radiación ultravioleta, después de lo cual pueden reprogramarse.
      - EEPROM
        
        Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.
        La celdas de memoria de un EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuesta flotante (estructura SAMOS). Su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
      - PROM
        
        (Programmable Read-Only Memory-Memoria de Sólo Lectura Programable).Tipo de memoria que puede ser programada una sola vez a través de un programador PROM. Están compuestas de fúsiles (o antifúsiles) que sólo pueden ser quemados una vez.Una memoria PROM sin programar se encuentra con todos los fusibles sin ser quemados, o sea, valor 1. Cada fusible quemado corresponde a un 0 produciendo una discontinuidad en el circuito. Estas memorias se van programando aplicando pulsos eléctricos.