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Fabricación de transistores y celdas solares por medio de difusión. -…
Fabricación de transistores y celdas solares por medio de difusión.
Transistores
Dispositivo semiconductor de 3 capas.
2 tipo
n
y una tipo
p
Transistor
npn
2 tipo
p
y una tipo
n
Transistor
pnp
Emisor
Fuertemente dopada
Base
Ligeramente dopada
Colector
Poco dopado
Proceso
1.-
Purificación del Substrato por reacciones químicas
2
.- Oxidación
Obleas de Si dentro de un horno a 850 y 1100 ºC
3
.- Litografía y lavado
Se cubre la oblea con una fotoresina + o -
4.-
Impurificación
Métodos
Difusión
Se coloca las obleas en horno con un gas inerte con el dopante deseado a 800 y 1200 ºC
5.-
Metalización
Interconectar los componente para formar circuito cerrado
Deposición inicial de un metal sobre el Si.
6.-
Fotolitografía
Define la superficie
Recubrir oblea con capa fotosensible
Celdas solares
Obleas
Tipo
p
Pulida por
los dos lados
Emisor
Tipo
n
Formado por difusión
Proceso
3.-
Formación del emisor por difusión de átomos dopantes de fósforo utilizando gases (PH3, O2 y N2)
2.-
Crecimiento de óxido de protección para evitar difusiones indeseadas
A temperatura de 1000 ºC
Por 20 minutos
En ambiente de vapor de agua
1.-
Limpieza química con Tricloroetileno y Acetona en vibrador ultrasónico
5.-
Aleación
Tratamiento térmico en el horno con H2 y N2 a 420 ºC por 30 minutos.
Limpieza con ácido nítrico.
4.-
Etapa de redifusión
En un horno de oxidación húmeda en ambiente de vapor de agua.
