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MEMORIAS - Coggle Diagram

- - - - PROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, en castellano ROM programable, se identifica por ser digital.
        En esta clase de memoria cada uno de los bits esta determinado por un fusible, el cual solo es posible quemarlo una única vez. Esto genera que, mediante un programador PROM, lleguen a ser programadas por solo una vez. La memoria PROM es empleada en situaciones en
        que la información requiere transformarse en todos o en la mayoría de las oportunidades. Además se la busca en especial en aquella información que desea almacenarse de modo duradero que no superen a los de la ROM.
      - EPROM: sus siglas en inglés de Erasable Programmable Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrable de sólo lectura. Esta clase de memoria ROM es un chip sin volatilidad y está constituido por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que se producen de fábrica sin carga alguna. Esta memoria es posible programarla mediante un dispositivo electrónico en que dichos voltajes superan a los empleados en circuitos electrónicos. A partir de esto, las celdas empiezan a leerse como 1, anterior a esto se realiza como 0. Esta memoria ofrece la posibilidad de ser borrada únicamente si es expuesta a las luces ultravioletas. En el momento que la EPROM es programada, se convierte en no volátil, es decir, que la información guardada permanece allí de manera atemporal. No obstante, puede ser eliminada y reprogramada con el uso de altos niveles de voltaje. Si bien en la actualidad continúan siendo empleadas, revelan algunas desventajas, entre ellas que el proceso borrado del chip es siempre completo, es decir que no es posible elegir alguna dirección en especial. Por otra parte, para reprogramarlas o borrarlas, deben desplazarse de su circuito y este proceso tarda como mínimo veinte minutos. Este tipo de desventajas han sido sobrepasadas por memorias flash y EEPROM, por lo que las EPROM están entrando en desuso
      - EEPROM: sus siglas en inglés de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, que significan en castellano ROM programable y borrable eléctricamente. Esta memoria, como su denominación lo señala puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente sin que sea necesario la exposición a los rayos ultravioleta, por ejemplo como en las EPROM, lo que implica que resulten no volátiles. A la vez de poseer las flotantes, como las previamente mencionadas, dispone de una capa de óxido localizado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que facilita que la memoria logre borrarse eléctricamente. Como para efectuar esto no se requieren programadores específicos ni rayos ultravioletas, es posible llevarlo a cabo en el propio circuito. Al mismo tiempo se puede reescribir y borrar bytes individualmente, y son más asequibles y rápidas de reprogramar que las anteriores. Las desventajas que tiene en relación con las ya mencionadas son la densidad y sus altos costos.
- - - - DRAM. Acrónimo de Dynamic Random Access Memory (o sea: Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio), basa su tecnología en condensadores, que al perder carga progresivamente, requieren de un circuido de refresco que revisa su carga y la repone. Fue inventada a finales de 1960 y es el tipo más empleado actualmente, pues permite crear módulos de enorme densidad de posiciones y alta velocidad de recuperación.
      - SRAM. Acrónimo de Static Random Access Memory (o sea: Memoria Estática de Acceso Aleatorio), designa un tipo de memoria que se sustenta en semiconductores y capaz de mantener los datos sin necesidad de circuitos de refrescamiento, siempre y cuando se mantenga alimentada.
        
        SRAM no volátiles.
        Las memorias SRAM no volátiles (NVRAM) presentan el funcionamiento típico de las RAM, pero con la característica distintiva de que los datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar la información almacenada sin necesidad de alimentación alguna.
        
        Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, enrutadores, teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrónica de automoción.
      - MEMORIAS RAM DDR
        
        Memoria RAM DDR: lanzada en el año 2000, no empezó a usarse hasta casi 2002. Operaba a 2.5V y 2.6V y su densidad máxima era de 128 Mb (por lo que no había módulos con más de 1 GB) con una velocidad de 266 MT/s (100-200 MHz)
        
        Memoria RAM DDR2: lanzada hacia 2004, funcionaba a un voltaje de 1.8 voltios, un 28% menos que DDR. Se dobló su densidad máxima hasta los 256 Mb (2 GB por módulo). Lógicamente la velocidad máxima también se multiplicó, llegando a 533 MHz.
        
        Memoria RAM DDR3: este lanzamiento se produjo en 2007, y supuso toda una revolución porque aquí se implementaron los perfiles XMP. Para empezar los módulos de memoria operaban a 1.5V y 1.65V, con velocidades base de 1066 MHz pero que llegaron mucho más allá, y la densidad llegó hasta a 8 GB por
        
        Memoria RAM DDR4: este lanzamiento se hizo de rogar y no llegó hasta 2014, pero a día de hoy es ya el más extendido. Se reduce el voltaje hasta 1.05 y 1.2V, aunque muchos módulos operan a 1.35V. La velocidad se ha visto notablemente incrementada y cada vez lanzan memorias más rápidas de fábrica, pero su base comenzó en los 2133 MHz. Actualmente ya hay módulos de 32 GB, pero esto también se va ampliando poco a poco.
        
        Por último, cabe destacar que en cada generación el número de pines de contacto ha cambiado de la siguiente manera
        
        DDR: 184 pines (DIMM), 200 pines (SO-DIMM) y 172 pines (micro DIMM).
        
        DDR2: 240 pines (DIMM), 200 pines (SO-DIMM) y 214 pines (micro DIMM).
        
        DDR3: 240 pines (DIMM), 204 pines (SO-DIMM) y 214 pines (micro DIMM).
        
        DDR4: 288 pines (DIMM), 256 pines (SO-DIMM). No existe ya micro DIMM DDR4.