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PN二極體介紹 二甲 19 黃新佑 - Coggle Diagram
PN二極體介紹 二甲 19 黃新佑
功能
整流二極體
稽納二極體
開關二極體
變容二極體
發光二極體
電阻
靜態電阻(RD)
利用操作點處的電壓、電流及歐姆定律即可求出靜態電阻。
公式：RD=VD/ID
動態電阻
動態電阻是在一個固定的直流電壓和電流(即靜態工作點Q)的基礎上，由交流信號ui引起特性曲線在Q點附近的一小段電壓和電流的變化產生的。公式：ΔVD/ΔID
分佈電阻(rB)
每一個二極體製成時，就含有內電阻，稱為分布電阻或本體電阻 ，分布電阻受摻雜及體積所影響。公式：rB=V2－V1/I2－I1
電流
順向電流
隨著順向電壓的增加，空乏區最終變得足夠薄以至於內電場不足以反作用抑制多數載子跨PN接面的擴散運動，因而降低了PN接面的電阻。
逆向電流
逆向偏壓時形成極其微弱的漂移電流，電流由N區流向P區，並且這個電流不隨逆向電壓的增大而變化，稱為「逆向飽和電流」。
半導體
N型半導體
在本質半導體中加入五價元素的雜質，如磷（P）、砷（As）、銻（Sb）等元素，這樣的外質半導體稱為N型半導體。
P型半導體
本質半導體中加入三價元素的雜質，如硼（B）、鋁（Al）、鎵（Ga）、銦（In）等元素，這樣的外質半導體稱為P型半導體。
電容
擴散電容（CD）
二極體內部電容，外加順向偏壓驅動多數載子擠向空乏區，故空乏區寬度d變小，載子於PN接面處堆積，使接面電容變大，稱為擴散電容。一般擴散電容約3000pF。公式：CD=τI/ηVT
過度電容（CT）
二極體內部電容，外加逆向偏壓多數載子拉向二極體兩側，故空乏區寬度d變大，使接面電容變小，稱為過度電容。一般過度電容約3pF。公式：CT=εA/d
模型
二極體線性的分段線性模型
理想二極體模型
在順向偏壓時，可如短路般達到零電阻的狀態（順向導通），而在逆向偏壓時，又可以像開路般有無窮大的電阻（逆向截止）。
電壓
順向
當電壓超越障壁電位後，只要再增加一點點電壓，便會有大量的電流產生，我們稱這個開始產生大量電流的電壓值為膝點電壓（VK）。
逆向
當負電壓持續增加到某一數值時，逆向電流會突然急㏿增加，我們稱此時的二極體正處於崩潰狀態，而該逆向電壓值稱為崩潰電壓（VBR）或稽納電壓（VZ）。
溫度
逆向飽和電流與溫度的關係：Is(T2)=Is(T1) ･ 2 T2－T1/10
障壁電位與溫度的關係：ΔVK/ΔT=－2.5mV/°C
