前应用较为普遍的太赫兹探测器有高莱管、硅热辐射计、肖特基二极管直接探测等.但因使用条件的限制以及探测性能的不足，如高莱管的响应时间慢，硅热辐射计限于宽谱测量，肖特基二极管噪声等效功率高等，使得太赫兹探测技术难以突破

太赫兹量子阱探测器是满足发展太赫兹技术应用的核心，可为太赫兹成像和太赫兹通讯的发展提供必要的基础支撑

随着光刻、蒸镀、刻蚀等半导体微纳加工技术的发展，使小尺寸光子耦合结构在太赫兹量子阱探测器中的集成应用成为可能

当太赫兹光从衬底端入射后，经过周期性金属光栅倒格矢的补偿，入射的太赫兹波与金属表面等离激元发生共振，激发出横向传播的等离极化激（SPP），由于近场效应的作用，在量子阱区域能够产生平行于量子阱生长方向的强电场分量，从而提高量子阱对太赫兹光光子的子带间吸收率

1、量子阱的响应峰位可通过改变基态和第一激发态之间的能量差进行调控，并且可通过采用简单的材料生长和制作工艺来实现多色探测的能力

2、由于其本征载流子寿命较短，光生电子的渡越时间和各种微观散射过程都处于皮秒量级，故可实现高频、高速探测

3、GaAs 材料具有成熟的制备工艺，可实现大规模均匀、稳定以及更低成本的焦平面探测阵列

根据量子限域效应，当所堆叠的势阱尺寸达到纳米量级时（接近或小于电子的平均自由程），费米能级附近连续态的电子能级将分裂成独立束缚能级，当入射光的能量满足束缚能级中基态与某一激发态的能量差时，相应的电子则会被激发到激发态的能级上，在电场的作用下，电子可隧穿或激发至连续态中形成光电流

在光子的激发过程中，对于n型掺杂的量子阱探测器，由于子带间的跃迁选择定则（与导带能级对称性相关），只有电场分量沿着材料生长方向的入射光才会被子带电子所吸收，因此量子阱探测器的光耦合一般采用45°磨角、布儒斯特角以及一些衍射光栅进行探测

1。太赫兹波段的量子阱探测器中第一激发态距离基态很近，因此多体效应与退极化效应的影响不可忽略，因此在进行能带设计时，需要在薛定谔方程中加入多体效应与退极化效应项

2、太赫兹量子阱探测器的势垒与势阱能量相差较小，因此材料组份上也相近，如GaAs/AlGaAs材料体系的太赫兹量子阱探测器，其Al组份一般在 2% - 5%之间，因此在材料生长时对Al组份的精确控制也是太赫兹量子阱探测器制备过程中的一个重要难点。在太赫兹波段，AlGaAs材料作为势垒，其Al的组份一般在2%-6%之间

3、量子阱中的暗电流主要源于热激发与热辅助遂
穿，而太赫兹量子阱探测器势垒更低，因此需要工作在更低的温条件下。

相比中红外量子阱探测器，太赫兹波段量子阱探测器的设计要显得更为复杂，太赫兹的子带间能量更低，因此多体效应的考虑是该波段探测器设计的重点。而多体效应主要是考虑局域密度近似下电子的交换关联能与退极化效应

为了达到降低暗电流的目的，太赫兹波段的量子阱阱内一般采用低掺杂，因此子带间吸收效率也就非常低，为了提高吸收效率，目前研究或应用最多的**三种光耦合结构为金属衍射光栅、金属微腔耦合结构以及表面等离激元耦合结构

SPP 存在于金属和介质的分界面上，在界面处沿着补偿波矢方向传播，并且其局域的电场强度沿垂直表面方向呈指数衰减。
LSP 模与 SPP 模不同，其并不能沿表面传播而是以
驻波形式振荡，其最大的特点是金属颗粒附近的强局域场[65]，并且 LSP 的激发不存在波矢补偿机制

利用金属人工结构也可以在太赫兹波段实现与可见光与红外光波段相类似的表面等离激元的物理现象

表面等离激元在各领域的应用主要基于以下几方面的特性：1、光学天线效应；2、金属颗粒的非线性效应；3、亚波长尺度内对光传输的调控与光场强的增强效应。

第一步清洗为半导体器件最重要的工艺步骤，样品的清洁度直接决定了后续工艺的成败以及器件的性能好坏。清洗过程主要为丙酮、异丙醇分别超声五分钟，然后用去离子水洗净。