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Transistores, Celdas Solares, Nombre: JONATHAN STEEVEN MEJÍA LARA Código:…

- - - - (Su nombre se debe a que todas las operaciones tienen lugar sobre el mismo plano del cristal que sirve de soporte), se basa en la utilización de una plaquita de silicio, tipo P o N, que constituirá el colector.
    - - Consiste en hacer crecer un material semiconductor en estado de cristal sobre otro material semiconductor que, a su vez, se halla también en estado de cristal.
    - - Consiste en obtener la unión emisor-base por medio de tecnología planar, y la unión basecolector por medio de tecnología mesa.
    - - Esta técnica se denomina también de difusión única. Los transistores obtenidos por este proceso resultan adecuados para su utilización con corrientes elevadas. Su frecuencia de transición máxima se sitúa alrededor de 1 MHz y soportan tensiones de hasta unos 100 V. Mediante esta técnica sólo se fabrican transistores NPN.
    - - Generalidades
        
        También denominada técnica de aleación difusa
        
        Consiste en obtener la unión base - colector por aleación, y la unión base - emisor por difusión.
      - Proceso de fabricación
        
        Sobre una plaquita de material semiconductor (germanio tipo P, por ejemplo), se deposita un pequeño dado de material donador (antimonio, por ejemplo) que, sometido a un proceso de fusión, se aleará con el semiconductor de la plaquita inicial, formando una unión NP que constituirá la unión colector - base.
        
        Posteriormente, y sobre una parte de la zona de aleación, se deposita, por el procedimiento de difusión, una pequeña capa de material aceptor, que formará el emisor.
        
        Completarán el proceso descrito (que es de fabricación de un transistor PNP) las operaciones pertinentes para el aislamiento del conjunto y la colocación de los contactos de emisor y base.
- - - - Los procesos previos a la obtención del Si-poli (silicio policristalino), son:
        1) Reducción del cuarzo (SiO2)
        2) Producción del silano (gas)
        3) Reducción y pirólisis del silano.
    - - Normalmente las uniones n-p se forman al impurificar vía difusión térmica con impurezas tipo-n (por ej. POCl3).
    - - Se debe evitar contactos rectificantes (o barrera al paso de los electrones) y reducir la resistencia serie. Para la formación de los contactos ohmicos se pueden ocupar técnicas de serigrafía, evaporación de metales o depósitos de metales vía baño químico.
    - - a) Capa antireflejante
        
        Técnicas:
        1) Depósito físico en fase de vapor (PVD)
        2) Depósito químico en fase de vapor (CVD)
        3) Otros métodos: El rocío químico es un método sencillo en donde la mezcla de SnCl4 con alcohol etílico se rocía sobre una plancha a 400°C.
      - b) Texturización: La estructura piramidal señalada anteriormente se logra al decapar anisotrópicamente la superficie <100> del Si-c.
  - - - El proceso de fabricación es semejante al de la tecnología de microelectrónica o de los circuitos integrados, por lo tanto es una tecnología madura.
        
        Desarrolla mayor eficiencia de conversión de luz a electricidad, comparadas con el silicio multicristalino o el de amorfo hidrogenado.
        
        Es un dispositivo con propiedades eléctricas estables, los fabricantes de los módulos garantizan por más de 20 años su funcionamiento.