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二维半导体材料及其场效应结构光电器件研究
黄海, 制备场效应管, 二维材料
层数、带隙
测量, 荧光分析
新方法, 带负电激子峰,…
二维半导体材料及其场效应结构光电器件研究
黄海
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半导体材料中复合发光过程中,自由激子在二维材料中起主要作用，而有关杂质的复合发光过程在三维材料中起主要作用.
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荧光分析
新方法
荧光偏振
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荧光偏振免疫分析法（FPIA）是一类体外生化测试，用于快速检测样品中的抗体或抗原。荧光偏振免疫测定法采用与荧光团结合的抗原，当与目标抗体结合时，抗原会增加荧光偏振。荧光寿命是吸收时刻和荧光发射时刻之间的时间量。
偏振的变化与样品中抗原的数量成正比
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带负电激子峰
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在中性施主、受主以及电离施主杂质中心的束缚激子是可能的,而束缚在电离受主杂质中心的束缚激子是不存在的
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二维 GaSe 背栅光电晶体管器件
单层 GaSe 材料的厚度约为 0.93 nm。GaSe 体材料为间接带隙，禁带宽度为 2.11 eV, 而只比直接带隙低 25 meV
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