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場效電晶體特性 (基本構造 (洩極曲線, 轉移特性曲線, JFET的偏壓), JFET的直流偏壓 (自給偏壓法, 分壓器偏壓法, 固定偏壓法),…
場效電晶體特性
基本構造
洩極曲線
轉移特性曲線
JFET的偏壓
JFET的直流偏壓
自給偏壓法
分壓器偏壓法
固定偏壓法
接面場效電晶體
電極
源極
為金屬電極，是載子發源地
汲極
為金屬電極，由通道汲取載子
閘極
兩個閘極間有導線相連，可控制通道之寬度
通道
介於源極與汲極間的電中性半導體區域，半導體的多數載子可以流動的區域
結構
中央有一個使載子流動的通道，分別為n通道與p通道
金氧半場效電晶體
p通道加強模式金氧半場效電晶體
結構
p型半導體的塊狀基底上方嵌入兩區相隔約1~10μm的n型半導體
隔區域的上方生長一層很薄的絕緣體SiO2，厚度約0.02~0.1μm
各半導體與絕緣體之上蒸鍍一薄層的金屬電極
未外接電源時，兩n型區被p形基底隔開，並無通道
n通道加強模式金氧半場效電晶體
金氧半場效電晶體
增強型MOSFET
空乏型MOSFET