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場效電晶體構造與特性 (構造 (三端點的裝置分為 (S源極, G閘極, D汲極), 電壓控制電場的雙極性半導體, 分為N通道P通道兩種,…
場效電晶體構造與特性
構造
三端點的裝置分為
S源極
G閘極
D汲極
電壓控制電場的雙極性半導體
分為N通道P通道兩種
由矽製作成的半導體
工作特性
截止區:
V(gs) <= V(p)
空乏型MOSFET Vgs<0=空乏模式
大於0為增強模式
等於0為電阻器
增強型MOSFET>臨限電壓才有電流
增強型MOSFET無實質通道
工作原理
N通道:G-S順偏
P通道:G-S逆偏
CMOS輸入正電壓，輸出=0V
;輸入負電壓，輸出為+VDD
結構
接面場效電晶體JFET
金屬氧化物場效電晶體MOSFET
空乏型MOSFET
增強型MOSFET
優缺點
優點
具有高輸入阻抗及低雜訊功能
熱穩定性較佳
製造較簡單，面積比較小
雜訊低，穩定佳,前置放大器
缺點
增益頻寬乘積小
操作速率較慢
用途
多用於開關裝置
資訊二忠 賴裕翔 12