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場效電晶體構造與特性 (類型 (DEPFET, DGMOFET, DNAFET, FREDFET, JFET, MOSFET), 構造 (源極（S)…
場效電晶體構造與特性
類型
DEPFET
DGMOFET
DNAFET
FREDFET
JFET
MOSFET
構造
源極（S)
汲極（D)
閘極（G)
用途
IGBT在開關內燃機點燃管中有用。快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的。
大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。
MOSFET中柵和通道之間的脆弱絕緣層使得它在操作中容易受到靜電損壞。器件在合適的設計電路中安裝後則通常不成問題。
特性
空乏模式
在一個n通道"空乏模式"器件，一個負的柵源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度，自邊界侵占通道，使通道變窄。
增強模式
相反的，在一個n通道"增強模式"器件中，一個正的柵源電壓是製造導電通道所必需的，因為它不可能在電晶體中自然的存在，正電壓吸引了體中的自由移動的電子向閘極運動，形成了導電通道。
組成
目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
資訊二忠 14號 陳立允