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場效電晶體 (構造 (主要矽是最常見的。, 源極(source，簡稱 S 極), 閘極(gate，簡稱 G 極), 為汲極(drain，簡稱 D…
場效電晶體
構造
主要矽是最常見的。
源極(source，簡稱 S 極)
閘極(gate，簡稱 G 極)
為汲極(drain，簡稱 D 極)
特性
IGBT在開關內燃機點燃管中有用
接面場效電晶體 JFET
FET工作
空乏模式
一個負的柵源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度
增強模式
在一個n通道"增強模式"器件中，電通道所必需的
組成
主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
類型
DEPFET
DGMOFET
DNAFET
FREDFET
HEMT
IGBT.
ISFET
JFET
MESFET
MODFET
MOSFET
NOMFET
OFET
資訊二忠 21 楊博任
