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場效電晶體構造與特性 (FET工作 (增強模式, 空乏模式), 分類 (JFET：本身有通道→只有空乏型一種, MOSFET：又可分空乏型(depl…
場效電晶體構造與特性
FET工作
增強模式
空乏模式
分類
JFET：本身有通道→只有空乏型一種
MOSFET：又可分空乏型(depletion type)與增強型（enhancement type）兩種。
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。
應用
類比放大器、數位開關、邏輯閘
雙極性
BJT（包含電洞和電子，所以稱為雙極性電晶體。）
單極性
FET（電流只由多數載子所決定，P通道→電洞，N通道→電子，所以稱為單極性電晶體。）
電流控制
BJT是以輸入電流iB來控制輸出電流i C的大小，∴所以BJT電晶體是電流控制的元件。
電壓控制
場效電晶體利用輸入電壓（閘源極電壓V g s）控制空乏區大小控制通道大小控制汲極電流( i D )，所以場效電晶體是電壓控制的元件。
構造
資訊二忠29號沈羿龍
