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場效電晶體構造與特性 (場效應電晶體的類型 (HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor）,…
場效電晶體構造與特性
場效應電晶體的類型
HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor）
DEPFET（Depleted FET）
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）
NOMFET（Nanoparticle Organic Memory FET）
ISFET（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）
場效電晶體介紹
大部分的場效電晶體是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明
場效電晶體之接腳判斷
源極與汲極的判斷
閘極的判斷
零件編號識別
場效電晶體偏壓
JFET直流偏壓
空乏MOSFET之直流偏壓
增強型MOSFET之直流偏壓
金陽半場效電晶體特性
空乏型MOSFET之構造及特性
增強型MOSFET之特性曲線
互補式MOSFET之構造及特性
心得
從這個作業當中，雖然在課本當中，有很多很多不懂的知識，所以可以以心智圖的教學學到很多的新東西！
資訊二孝 11號許閔棋