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場效電晶體 (場效應電晶體的類型 (DGMOFET（Dual-gate MOSFET）, FREDFET（Fast Recovery…
場效電晶體
場效應電晶體的類型
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）
DEPFET（Depleted FET）
HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility Transistor）
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）
ISFET（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）
MESFET（Metal-Semiconductor FET）
MODFET（Modulation-Doped FET）
NOMFET（Nanoparticle Organic Memory FET）
OFETOFET
場效電晶體特性測試
閘汲極崩潰電壓
汲極電流
閘極截止電流
閘汲極夾止電壓
儲存溫度
順向轉換導納
場效電晶體介紹
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明
有時被稱為「單極性電晶體」
場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
大部分的場效電晶體是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
所有的場效電晶體第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或基板（substrate）。
場效電晶體之接腳判斷
閘極的判斷
源極與汲極的判斷
零件編號識別
資二孝 19號 楊承育
心得:在這次的作業中，我找到許多和電晶體相關的知識，也讓我認識了許多以前不知道的場效電晶體，希望下次我還可以受益良多