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場效電晶體 (場效應電晶體的類型 (DGMOFET（Dual-gate MOSFET）, FREDFET（Fast Recovery…
場效電晶體
場效應電晶體的類型
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）
DEPFET（Depleted FET）
HEMT（高電子移動率電晶體，High Electron Mobility
Transistor）
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）
ISFET（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）
NOMFET（Nanoparticle Organic Memory FET）
MESFET（Metal-Semiconductor FET）
MODFET（Modulation-Doped FET）
OFETOFET
場效電晶體特性測試
閘極截止電流
閘汲極崩潰電壓
順向轉換導納
汲極電流
閘汲極夾止電壓
儲存溫度
場效電晶體介紹
有時被稱為「單極性電晶體」
大部分的場效電晶體是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用
單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年
由Oskar Heil分別發明
所有的場效電晶體第四端，被稱為體（body）、基（base）、
塊體（bulk）或基板（substrate）。
場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概
念卻比雙極性電晶體早
場效電晶體之接腳判斷
閘極的判斷
源極與汲極的判斷
零件編號識別
這次的作業可以讓我了解到更多有關場效電晶體的知識，上課不懂的地方也可以透過這次的做來了解更多有關場效電晶體的內容以及不清楚的地方