場效電晶體構造與特性
第四組
01王立廷
05吳宗頷
06吳清暘
14張有璿
20陳永霖
34謝葆錡
等效電阻
場效電晶體
在提及等效電阻前先來複習一下甚麼是電阻，電阻一般是符合歐姆定律 VI= 常數的電子元件，例如鎳鉻絲，因此我們令電阻 R=VI 為一隨溫度變化之常數。此外電阻還跟材料特性、形狀有關，如高中所學過的 R=ρlLA，其中 ρ 為與物質和溫度相關之常數、L, A 分別為該物質長度和面積。
等效電阻就是說如果有很多個電阻出現在電路中，我們可以將它視為一個電阻，這就稱作等效電阻。首先我們先來看看串聯，見圖一，串聯的特性是流經兩個電路元件的電流是一樣的，因為電阻不能有電荷積聚，若電流為 I、兩電阻的電壓分別為 V1, V2，此時我們將兩個電阻想成一個等效電阻，為了確認是否可以這樣做，等一下你/妳可以檢查該等效電阻是否為一常數，R=VI=V1+V2I=R1+R2= 常數，所以我們可以得知串聯的等效電阻為兩電阻值直接相加。
場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。
它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」
以它的單載子型作用對比雙極性電晶體。由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件，他的主要功能是做電流的開關，就如同控制水管中水流量的閥(valve) 。
閘極電壓對電流的影響
FET通過影響導電通道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者電洞流）。通道是由（是否）加在閘極和源極的電壓而創造和影響的（為了討論的簡便，這默認體和源極是相連的）。導電通道是從源極到汲極的電子流。
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
類型
DEPFET（Depleted FET）是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器。
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個閘極的MOSFET。
DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈。
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET。
JFET用相反偏壓的p-n結去分開閘極和體。
MODFET（Modulation-Doped FET）用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。
NOMFET是奈米粒子有機記憶場效應電晶體（Nanoparticle Organic Memory FET）。
OFET是有機場效應電晶體（Organic FET），它在它的通道中用有機半導體。
臨界電壓
臨界電壓的控制在IC的製造是相當重要的，特別對於近代低功率、低電壓的設計更形重要。要瞭解他控制的方法，就必須知道臨界電壓和元件製造參數的關係。
和臨界電壓有關的元件物理相當複雜，除了半導體與氧化層特性有關外，和金屬層的特性也有關係。我們這裡只討論靠近氧化層介面之半導體由電中性到形成反轉層所需閘極電壓的變化。