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二极管与三极管 (半导体 (杂质半导体 (PN结 (PN结的电容效应 (势垒电容，加反向电压时，Cb, 扩散电容，加正向电压时，Cd,…
二极管与三极管
半导体
本征半导体
纯净无杂质
晶体结构（稳定）
四价元素
硅
锗
杂质半导体
控制导电性
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N型半导体
掺杂磷P（五价元素，电子增多）
P型半导体
掺杂硼B（三价元素，空穴增多）
PN结
PN结的形成
漂移运动
空间电荷区、内电场、耗尽层，使P区电子往N区空穴填补
扩散运动
N区电子往P区空穴填补
PN结单向导电性
正向电压
耗尽层变窄，扩散加剧
反向电压
耗尽层变宽，漂移加剧
PN结的电容效应
势垒电容，加反向电压时，Cb
扩散电容，加正向电压时，Cd
结电容：Cj=Cb+Cd
受温度影响大，少数载流子影响大
二极管
二极管的结构
点接触型
结面积小
电流小
频率高
结电容小
面接触型
结面积大
结电容大
电流大
频率低
平面型
结面积小频率高
结面积大电流大