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EEPROM ("Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"…
EEPROM
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Modos de fallos
En cada re-escritura, el gate oxide, en los transistores de floating-gate, acumulan electrones atrapados
El campo eléctrico de los electrones atrapados agregan a los electrones de la floating gate, reduciendo la ventana para los voltajes entre ceros y unos