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Microstructure (Microscopy (SEM (전자 총 (LaB6 : Crossover point 직경-10µm …

- - - - Polycrystal
        
        Single substance
        fired ware
      - Single crystal
        
        Diamond
    - - Glass
        
        Glass bottle
      - Other
        amorphous
        
        Amorphous silicon
- - - - 단백질,핵산
  - - - LaB6 : Crossover point 직경-10µm
        전류밀도-수십A/cm²
      - 전계 방출 : Crossover point 직경-수백Å~30Å
        전류밀도-10^3A/cm²
      - W : Crossover point 직경-20~30µm
        전류밀도-수A/cm²
    - - CL1
        
        Stigmator
        
        수차보정
      - CL2
        
        전자,전류량 제거
    - - BSE
        
        전자빔에 의해 반사
        
        시료의 조성에
        대한 정보
      - SE
        
        전자빔으로 인해 방출된 전자
        
        SE MODE
        
        가속 전압 효과
        
        전압↑ 입사전자 침투 길이↑
        확산영역↑ 2차전자 발생률↓
        chrage↑ edge 효과↑
        
        edge 효과
        
        가속전압↑ edge 효과↑
        : 너무 밝을 경우 미세구조 관측x
        
        경사각 효과
        
        2차전자 발생량↑
        
        대전 효과
        
        검출기와의 전위가 외면상 증가
        밝게 보임
        probe 편향
        상이 산란
      - Spot
- - - - Mirror across GB plane
    - - θ<10°
    - - n normal to plan
    - - Structured, θ>10°
    - - n parallel to plane
    - - Not a special GB